KSD2012YTU

产品描述

Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

内部编号

生产厂商

数量:2900

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新加坡
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规格书
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	50
晶体管类型	NPN
- 集电极电流（Ic）（最大）	3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	60V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	1V @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大）	-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	100 @ 500mA, 5V
功率 - 最大	25W
频率转换	3MHz
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装	TO-220F
包装材料	Tube
包装	3TO-220F
类型	NPN
引脚数	3
最大集电极发射极电压	60 V
集电极最大直流电流	3 A
最小直流电流增益	100@500mA@5V
最大工作频率	3(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压	1@0.2A@2A V
工作温度	-55 to 150 °C
最大功率耗散	25000 mW
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
集电极最大直流电流	3
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
标准包装名称	TO-220F
最低工作温度	-55
最大功率耗散	25000
最大基地发射极电压	7
Maximum Transition Frequency	3(Typ)
封装	Rail
每个芯片的元件数	1
最大集电极基极电压	60
供应商封装形式	TO-220F
最大集电极发射极电压	60
铅形状	Through Hole
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	3A
晶体管类型	NPN
安装类型	Through Hole
频率 - 转换	3MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	1V @ 200mA, 2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	60V
供应商设备封装	TO-220F
功率 - 最大	25W
封装/外壳	TO-220-3 Full Pack
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	100 @ 500mA, 5V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
KSD2012GTU	fairchild semiconductor	Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
KSD2012Y	Fairchild Semiconductor	Transistors Switching - Resistor Biased
KSD2012YYDTU	fairchild semiconductor	Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

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